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沟槽栅IGBT器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011474042.0
申请日
:
2020-12-14
公开(公告)号
:
CN112687654A
公开(公告)日
:
2021-04-20
发明(设计)人
:
梁利晓
肖强
朱利恒
刘葳
宁旭斌
申请人
:
申请人地址
:
412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
IPC主分类号
:
H01L23498
IPC分类号
:
H01L2507
代理机构
:
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人
:
吴大建;金淼
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-20
公开
公开
2021-05-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20201214
共 50 条
[1]
沟槽栅IGBT器件
[P].
梁利晓
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
梁利晓
;
肖强
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
肖强
;
朱利恒
论文数:
0
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0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
朱利恒
;
刘葳
论文数:
0
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0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
刘葳
;
宁旭斌
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
宁旭斌
.
中国专利
:CN112687654B
,2024-02-23
[2]
沟槽栅IGBT器件
[P].
陆佳顺
论文数:
0
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0
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0
机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
陆佳顺
;
孙磊
论文数:
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0
机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
孙磊
;
陈译
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0
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0
机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
陈译
;
杨洁雯
论文数:
0
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0
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机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
杨洁雯
.
中国专利
:CN223219397U
,2025-08-12
[3]
微沟槽栅IGBT器件
[P].
施华
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0
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0
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机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
施华
;
李燕
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0
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0
机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
李燕
;
熊雪娥
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机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
熊雪娥
;
熊哲鹏
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机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
熊哲鹏
;
刘阳
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机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
刘阳
.
中国专利
:CN221448711U
,2024-07-30
[4]
沟槽栅IGBT
[P].
刘国友
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刘国友
;
朱利恒
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0
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朱利恒
;
黄建伟
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黄建伟
;
罗海辉
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0
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罗海辉
;
谭灿健
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谭灿健
;
杨鑫著
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0
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杨鑫著
;
肖强
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0
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0
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0
肖强
;
文高
论文数:
0
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0
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0
文高
.
中国专利
:CN106941114A
,2017-07-11
[5]
沟槽栅IGBT
[P].
松浦仁
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0
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0
松浦仁
;
中泽芳人
论文数:
0
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0
中泽芳人
.
中国专利
:CN106229341A
,2016-12-14
[6]
沟槽栅IGBT器件及其制备方法
[P].
方冬
论文数:
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0
方冬
;
肖魁
论文数:
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0
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肖魁
.
中国专利
:CN113690296A
,2021-11-23
[7]
一种沟槽栅IGBT器件
[P].
唐龙谷
论文数:
0
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唐龙谷
;
罗海辉
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0
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罗海辉
;
戴小平
论文数:
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0
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戴小平
;
吴煜东
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吴煜东
;
刘国友
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0
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刘国友
;
张泉
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张泉
;
覃荣震
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覃荣震
.
中国专利
:CN111129130A
,2020-05-08
[8]
一种沟槽栅IGBT器件
[P].
许生根
论文数:
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0
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许生根
;
李哲锋
论文数:
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0
李哲锋
;
訾彤彤
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0
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0
訾彤彤
.
中国专利
:CN114420752A
,2022-04-29
[9]
一种沟槽栅IGBT器件
[P].
郭乔
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郭乔
;
林泳浩
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林泳浩
;
李伟聪
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李伟聪
.
中国专利
:CN212342635U
,2021-01-12
[10]
沟槽栅IGBT器件及其制造方法
[P].
肖魁
论文数:
0
引用数:
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机构:
无锡华润上华科技有限公司
无锡华润上华科技有限公司
肖魁
;
卞铮
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机构:
无锡华润上华科技有限公司
无锡华润上华科技有限公司
卞铮
.
中国专利
:CN117497415A
,2024-02-02
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