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一种沟槽栅IGBT器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202021934492.9
申请日
:
2020-09-07
公开(公告)号
:
CN212342635U
公开(公告)日
:
2021-01-12
发明(设计)人
:
郭乔
林泳浩
李伟聪
申请人
:
申请人地址
:
519031 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-69243(集中办公区)
IPC主分类号
:
H01L29423
IPC分类号
:
H01L29739
代理机构
:
深圳市中科创为专利代理有限公司 44384
代理人
:
彭西洋;冯建华
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-01-12
授权
授权
共 50 条
[1]
一种沟槽栅IGBT器件
[P].
郭乔
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郭乔
;
林泳浩
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林泳浩
;
李伟聪
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李伟聪
.
中国专利
:CN111900202A
,2020-11-06
[2]
一种沟槽栅IGBT器件
[P].
郭乔
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机构:
珠海市浩辰半导体有限公司
珠海市浩辰半导体有限公司
郭乔
;
林泳浩
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机构:
珠海市浩辰半导体有限公司
珠海市浩辰半导体有限公司
林泳浩
;
李伟聪
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机构:
珠海市浩辰半导体有限公司
珠海市浩辰半导体有限公司
李伟聪
.
中国专利
:CN111900202B
,2024-12-31
[3]
沟槽栅IGBT器件
[P].
陆佳顺
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新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
陆佳顺
;
孙磊
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机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
孙磊
;
陈译
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机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
陈译
;
杨洁雯
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机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
杨洁雯
.
中国专利
:CN223219397U
,2025-08-12
[4]
一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法
[P].
张金平
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张金平
;
田丰境
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田丰境
;
底聪
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底聪
;
刘竞秀
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刘竞秀
;
李泽宏
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李泽宏
;
任敏
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任敏
;
张波
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张波
.
中国专利
:CN105789290B
,2016-07-20
[5]
微沟槽栅IGBT器件
[P].
施华
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机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
施华
;
李燕
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机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
李燕
;
熊雪娥
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厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
熊雪娥
;
熊哲鹏
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机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
熊哲鹏
;
刘阳
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机构:
厦门麒思微电子有限公司
厦门麒思微电子有限公司
刘阳
.
中国专利
:CN221448711U
,2024-07-30
[6]
一种具有浮空结构的沟槽栅IGBT器件
[P].
王洪
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王洪
;
林泳浩
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林泳浩
;
李伟聪
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李伟聪
.
中国专利
:CN214152907U
,2021-09-07
[7]
沟槽栅IGBT器件
[P].
梁利晓
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
梁利晓
;
肖强
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
肖强
;
朱利恒
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
朱利恒
;
刘葳
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
刘葳
;
宁旭斌
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
宁旭斌
.
中国专利
:CN112687654B
,2024-02-23
[8]
沟槽栅IGBT器件
[P].
梁利晓
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梁利晓
;
肖强
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肖强
;
朱利恒
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朱利恒
;
刘葳
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刘葳
;
宁旭斌
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宁旭斌
.
中国专利
:CN112687654A
,2021-04-20
[9]
一种沟槽栅IGBT器件结构
[P].
许高潮
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许高潮
;
薛璐
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薛璐
;
张海涛
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张海涛
.
中国专利
:CN209104157U
,2019-07-12
[10]
一种具有载流子存储层的沟槽栅IGBT器件
[P].
朱袁正
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朱袁正
;
周锦程
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周锦程
;
李宗清
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李宗清
;
杜丽娜
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杜丽娜
.
中国专利
:CN115064584A
,2022-09-16
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