沟槽栅IGBT

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610003233.6

申请日：

2016-01-05

公开(公告)号：

CN106941114A

公开(公告)日：

2017-07-11

发明(设计)人：

刘国友朱利恒黄建伟罗海辉谭灿健杨鑫著肖强文高

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29417

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

张文娟;朱绘

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-11	公开	公开
2017-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738774720 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2016100032336 申请日:20160105
2021-05-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20170711
2020-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20201112 变更事项:申请人变更前权利人:株洲中车时代电气股份有限公司变更后权利人:株洲中车时代半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后权利人:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

共 50 条

[1]

沟槽栅IGBT [P].

松浦仁 ;

中泽芳人 .

中国专利 :CN106229341A ,2016-12-14

[2]

一种沟槽栅IGBT [P].

俞义长 ;

戚丽娜 ;

张海泉 ;

井亚会 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN211017085U ,2020-07-14

[3]

沟槽栅IGBT制作方法、沟槽栅IGBT及电子装置 [P].

郑大燮 ;

刘博 ;

陈德艳 .

中国专利 :CN106257627A ,2016-12-28

[4]

IE型沟槽栅IGBT [P].

松浦仁 ;

中泽芳人 .

中国专利 :CN102790082B ,2012-11-21

[5]

沟槽台阶栅IGBT芯片 [P].

朱春林 ;

罗海辉 ;

刘国友 ;

戴小平 ;

肖强 ;

覃荣震 .

中国专利 :CN108538912B ,2018-09-14

[6]

沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法 [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

黄建伟 ;

谭灿健 ;

罗海辉 ;

杨鑫著 .

中国专利 :CN106898549A ,2017-06-27

[7]

沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

黄建伟 ;

罗海辉 ;

谭灿健 ;

刘根 .

中国专利 :CN106910767A ,2017-06-30

[8]

一种沟槽栅IGBT半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110797405A ,2020-02-14

[9]

沟槽栅IGBT器件 [P].

陆佳顺 ;

孙磊 ;

陈译 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN223219397U ,2025-08-12

[10]

沟槽栅IGBT器件 [P].

梁利晓 ;

肖强 ;

朱利恒 ;

刘葳 ;

宁旭斌 .

中国专利 :CN112687654B ,2024-02-23

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