半导体结构及其制造方法与半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910239923.5

申请日：

2019-03-27

公开(公告)号：

CN109830527A

公开(公告)日：

2019-05-31

发明(设计)人：

周源张小麟李静怡王超张志文朱林迪牛玉玮郭艳华

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号1幢4层4D15

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2118

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;张靖琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190327
2019-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构与半导体器件 [P].

周源 ;

张小麟 ;

李静怡 ;

王超 ;

张志文 ;

朱林迪 ;

牛玉玮 ;

郭艳华 .

中国专利 :CN209963062U ,2020-01-17

[2]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[3]

半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片 [P].

裴俊值 ;

高建峰 ;

李俊杰 ;

刘卫兵 .

中国专利 :CN111900145A ,2020-11-06

[4]

半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片 [P].

裴俊植 ;

高建峰 ;

刘卫兵 .

中国专利 :CN114765157A ,2022-07-19

[5]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN113314497A ,2021-08-27

[6]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

胡洋 ;

刘国全 ;

吴小鹏 ;

吕晖 .

中国专利 :CN118613053A ,2024-09-06

[7]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

吴桐 .

中国专利 :CN113241335B ,2021-08-10

[8]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

辛柏寰 ;

邱盈翰 .

中国专利 :CN119069476A ,2024-12-03

[9]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

孙正庆 ;

金星 .

中国专利 :CN114256133B ,2024-09-20

[10]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN114361163A ,2022-04-15

← 1 2 3 4 5 →