半导体器件、半导体结构及其制造方法

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申请号
CN202210023466.8
申请日
2022-01-10
公开(公告)号
CN114361163A
公开(公告)日
2022-04-15
发明(设计)人
郭帅
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
王辉;阚梓瑄
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴俊毅 ;
余振华 ;
刘重希 .
中国专利 :CN113314497A ,2021-08-27
[2]
半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P]. 
胡洋 ;
刘国全 ;
吴小鹏 ;
吕晖 .
中国专利 :CN118613053A ,2024-09-06
[3]
半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P]. 
吴桐 .
中国专利 :CN113241335B ,2021-08-10
[4]
半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P]. 
辛柏寰 ;
邱盈翰 .
中国专利 :CN119069476A ,2024-12-03
[5]
半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P]. 
孙正庆 ;
金星 .
中国专利 :CN114256133B ,2024-09-20
[6]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
张盟昇 ;
杨耀仁 .
中国专利 :CN110854118B ,2020-02-28
[7]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
李承翰 .
中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30
[8]
半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P]. 
孙正庆 ;
金星 .
中国专利 :CN114256133A ,2022-03-29
[9]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
马可·范·达尔 ;
荷尔本·朵尔伯斯 ;
乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;
马礼修 .
中国专利 :CN114927563A ,2022-08-19
[10]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN120224682A ,2025-06-27