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半导体器件、半导体结构及其制造方法
被引:0
申请号
:
CN202210023466.8
申请日
:
2022-01-10
公开(公告)号
:
CN114361163A
公开(公告)日
:
2022-04-15
发明(设计)人
:
郭帅
申请人
:
申请人地址
:
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
:
H01L27108
IPC分类号
:
H01L218242
代理机构
:
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
:
王辉;阚梓瑄
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-04-15
公开
公开
2022-05-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20220110
共 50 条
[1]
半导体结构、半导体器件及其制造方法
[P].
吴俊毅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴俊毅
;
余振华
论文数:
0
引用数:
0
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0
余振华
;
刘重希
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘重希
.
中国专利
:CN113314497A
,2021-08-27
[2]
半导体结构及其制造方法、半导体器件
[P].
胡洋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
胡洋
;
刘国全
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
刘国全
;
吴小鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
吴小鹏
;
吕晖
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
吕晖
.
中国专利
:CN118613053A
,2024-09-06
[3]
半导体结构及其制造方法、半导体器件
[P].
吴桐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴桐
.
中国专利
:CN113241335B
,2021-08-10
[4]
半导体器件、半导体结构及其制造方法
[P].
辛柏寰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
辛柏寰
;
邱盈翰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
邱盈翰
.
中国专利
:CN119069476A
,2024-12-03
[5]
半导体器件、半导体结构及其制造方法
[P].
孙正庆
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
孙正庆
;
金星
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
金星
.
中国专利
:CN114256133B
,2024-09-20
[6]
半导体结构、半导体器件及其制造方法
[P].
张盟昇
论文数:
0
引用数:
0
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0
张盟昇
;
杨耀仁
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨耀仁
.
中国专利
:CN110854118B
,2020-02-28
[7]
半导体结构、半导体器件及其制造方法
[P].
沙哈吉·B·摩尔
论文数:
0
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0
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0
沙哈吉·B·摩尔
;
李承翰
论文数:
0
引用数:
0
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0
李承翰
.
中国专利
:CN115132661A
,2022-09-30
[8]
半导体器件、半导体结构及其制造方法
[P].
孙正庆
论文数:
0
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0
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0
孙正庆
;
金星
论文数:
0
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0
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0
金星
.
中国专利
:CN114256133A
,2022-03-29
[9]
半导体结构、半导体器件及其制造方法
[P].
马可·范·达尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
马可·范·达尔
;
荷尔本·朵尔伯斯
论文数:
0
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0
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荷尔本·朵尔伯斯
;
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
论文数:
0
引用数:
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乔治奥斯·韦理安尼堤斯
;
马礼修
论文数:
0
引用数:
0
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0
马礼修
.
中国专利
:CN114927563A
,2022-08-19
[10]
半导体结构、半导体器件及其制造方法
[P].
刘志拯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
刘志拯
.
中国专利
:CN120224682A
,2025-06-27
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