半导体结构及其制造方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110371706.9

申请日：

2021-04-07

公开(公告)号：

CN113241335B

公开(公告)日：

2021-08-10

发明(设计)人：

吴桐

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23532 H01L21768

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤;高翠花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20210407
2022-03-22	授权	授权
2021-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构体及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

肋坂伸治 ;

若林猛 .

中国专利 :CN101944518B ,2011-01-12

[2]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN113314497A ,2021-08-27

[3]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

胡洋 ;

刘国全 ;

吴小鹏 ;

吕晖 .

中国专利 :CN118613053A ,2024-09-06

[4]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

辛柏寰 ;

邱盈翰 .

中国专利 :CN119069476A ,2024-12-03

[5]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

孙正庆 ;

金星 .

中国专利 :CN114256133B ,2024-09-20

[6]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN114361163A ,2022-04-15

[7]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

张盟昇 ;

杨耀仁 .

中国专利 :CN110854118B ,2020-02-28

[8]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[9]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

孙正庆 ;

金星 .

中国专利 :CN114256133A ,2022-03-29

[10]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

马可·范·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

马礼修 .

中国专利 :CN114927563A ,2022-08-19

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