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半导体结构、半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910768199.5
申请日：
2019-08-20
公开(公告)号：
CN110854118B
公开(公告)日：
2020-02-28
发明(设计)人：
张盟昇
杨耀仁
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L27112
IPC分类号：
H01L2702
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-16 | 授权 | 授权 |
| 2020-02-28 | 公开 | 公开 |