半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片

被引：0

申请号：

CN202110056681.3

申请日：

2021-01-15

公开(公告)号：

CN114765157A

公开(公告)日：

2022-07-19

发明(设计)人：

裴俊植高建峰刘卫兵

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L23532 H01L21768

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

刘广达

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-19	公开	公开
2022-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20210115

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片 [P].

裴俊值 ;

高建峰 ;

李俊杰 ;

刘卫兵 .

中国专利 :CN111900145A ,2020-11-06

[2]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[3]

半导体结构及其制造方法与半导体器件 [P].

周源 ;

张小麟 ;

李静怡 ;

王超 ;

张志文 ;

朱林迪 ;

牛玉玮 ;

郭艳华 .

中国专利 :CN109830527A ,2019-05-31

[4]

一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片 [P].

裴俊值 ;

周娜 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN114141750A ,2022-03-04

[5]

一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片 [P].

申靖浩 ;

高建峰 ;

刘卫兵 ;

孔真真 .

中国专利 :CN111564422A ,2020-08-21

[6]

半导体芯片及其制造方法以及半导体器件 [P].

川野连也 ;

田代勉 ;

栗田洋一郎 .

中国专利 :CN100449762C ,2006-01-04

[7]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN113314497A ,2021-08-27

[8]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

胡洋 ;

刘国全 ;

吴小鹏 ;

吕晖 .

中国专利 :CN118613053A ,2024-09-06

[9]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

吴桐 .

中国专利 :CN113241335B ,2021-08-10

[10]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

辛柏寰 ;

邱盈翰 .

中国专利 :CN119069476A ,2024-12-03

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