半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210324608.4

申请日：

2017-07-06

公开(公告)号：

CN114664936A

公开(公告)日：

2022-06-24

发明(设计)人：

杨育佳江宏礼许志成王菘豊陈奕升徐志安

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336 H01L27088 H01L218234

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20170706
2022-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN121078762A ,2025-12-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN108122979A ,2018-06-05

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114664936B ,2025-09-02

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄禹轩 ;

陈豪育 ;

锺政庭 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN117894681A ,2024-04-16

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

姜泰旭 ;

郑仓龙 ;

金昌树 ;

徐昌秀 ;

朴汶熙 .

中国专利 :CN1725511A ,2006-01-25

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

矶部敦生 ;

山口哲司 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN1725513A ,2006-01-25

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉田浩介 .

中国专利 :CN101546771B ,2009-09-30

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

P·阿加瓦尔 ;

J·W·斯罗特布姆 ;

G·多恩博斯 .

中国专利 :CN1957461A ,2007-05-02

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