FinFET器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110372142.7

申请日：

2011-11-21

公开(公告)号：

CN103123900A

公开(公告)日：

2013-05-29

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2910

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-02	授权	授权
2013-05-29	公开	公开
2013-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101480522123 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103721427 申请日:20111121

共 50 条

[1]

FinFET器件制造方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN103123899A ,2013-05-29

[2]

FinFET器件制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103295899B ,2013-09-11

[3]

FinFET器件的制造方法 [P].

童浩 ;

曾以志 ;

陈甜 .

中国专利 :CN104752217B ,2017-12-01

[4]

FinFET器件的制造方法及结构 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103137478A ,2013-06-05

[5]

FinFET器件的制造方法 [P].

黄敬勇 ;

王彦 ;

肖芳元 .

中国专利 :CN107706110B ,2018-02-16

[6]

制造FinFET器件的方法 [P].

巫凯雄 ;

曾博瑞 ;

简珮珊 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN103681347B ,2014-03-26

[7]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103050530B ,2013-04-17

[8]

FINFET器件及其制造方法 [P].

彭彦明 ;

刘继文 ;

黄信杰 ;

许一如 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106505104B ,2017-03-15

[9]

FinFET器件的制造方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN114334659B ,2025-02-07

[10]

制造FinFET器件的方法 [P].

孙诗平 ;

王菘豊 ;

林经祥 ;

陈能国 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103972097B ,2014-08-06

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