FinFET器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110372141.2

申请日：

2011-11-21

公开(公告)号：

CN103123899A

公开(公告)日：

2013-05-29

发明(设计)人：

赵猛三重野文健

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-29	公开	公开
2013-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101480523973 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103721412 申请日:20111121
2017-06-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101753914768 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2011103721412 登记生效日:20170601 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区上海市张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
2015-09-30	授权	授权

共 50 条

[1]

FinFET器件制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103123900A ,2013-05-29

[2]

FinFET器件制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103295899B ,2013-09-11

[3]

FinFET器件的制造方法及结构 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103137478A ,2013-06-05

[4]

FinFET器件的制造方法 [P].

黄敬勇 ;

王彦 ;

肖芳元 .

中国专利 :CN107706110B ,2018-02-16

[5]

制造FinFET器件的方法 [P].

巫凯雄 ;

曾博瑞 ;

简珮珊 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN103681347B ,2014-03-26

[6]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103050530B ,2013-04-17

[7]

FINFET器件及其制造方法 [P].

彭彦明 ;

刘继文 ;

黄信杰 ;

许一如 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106505104B ,2017-03-15

[8]

FinFET器件的制造方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN114334659B ,2025-02-07

[9]

制造FinFET器件的方法 [P].

孙诗平 ;

王菘豊 ;

林经祥 ;

陈能国 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103972097B ,2014-08-06

[10]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103035713A ,2013-04-10

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