FinFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210071713.8

申请日：

2012-03-16

公开(公告)号：

CN103050530B

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

刘继文王昭雄

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;房岭梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457118838 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012100717138 申请日:20120316
2013-04-17	公开	公开
2015-07-15	授权	授权

共 50 条

[1]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103035713A ,2013-04-10

[2]

FinFET器件及其制造方法 [P].

陈祈铭 ;

喻中一 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103066123A ,2013-04-24

[3]

FinFET器件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 .

中国专利 :CN103928517A ,2014-07-16

[4]

FINFET器件及其制造方法 [P].

彭彦明 ;

刘继文 ;

黄信杰 ;

许一如 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106505104B ,2017-03-15

[5]

FINFET器件及其制造方法 [P].

李彥儒 ;

李启弘 ;

郭建亿 ;

丁姮彣 ;

戴荣吉 ;

舒丽丽 ;

萧扬泰 .

中国专利 :CN106531804A ,2017-03-22

[6]

FinFET器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

黄俊嘉 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103928518A ,2014-07-16

[7]

FINFET器件及其制造方法 [P].

郑铭龙 ;

林彦君 ;

林大文 .

中国专利 :CN108807381A ,2018-11-13

[8]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘洋 ;

杨渝书 ;

耿金鹏 .

中国专利 :CN117672968A ,2024-03-08

[9]

SiC FinFET器件及其制造方法 [P].

王彬 .

中国专利 :CN119300410B ,2025-10-17

[10]

SiC FinFET器件及其制造方法 [P].

王彬 .

中国专利 :CN119300410A ,2025-01-10

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