FinFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211008883.1

申请日：

2022-08-22

公开(公告)号：

CN117672968A

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

刘洋杨渝书耿金鹏

申请人：

上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司上海集成电路研发中心有限公司

申请人地址：

201821 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室

IPC主分类号：

H01L21/8234

IPC分类号：

H01L27/088

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

张亚静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20220822
2024-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103050530B ,2013-04-17

[2]

FINFET器件及其制造方法 [P].

彭彦明 ;

刘继文 ;

黄信杰 ;

许一如 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106505104B ,2017-03-15

[3]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103035713A ,2013-04-10

[4]

FinFET器件及其制造方法 [P].

陈祈铭 ;

喻中一 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103066123A ,2013-04-24

[5]

FinFET器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

黄俊嘉 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103928518A ,2014-07-16

[6]

FinFET器件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 .

中国专利 :CN103928517A ,2014-07-16

[7]

FINFET器件及其制造方法 [P].

郑铭龙 ;

林彦君 ;

林大文 .

中国专利 :CN108807381A ,2018-11-13

[8]

制造FinFET器件的方法 [P].

巫凯雄 ;

曾博瑞 ;

简珮珊 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN103681347B ,2014-03-26

[9]

制造FinFET器件的方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

王景祺 .

中国专利 :CN104733321B ,2015-06-24

[10]

SiC FinFET器件及其制造方法 [P].

王彬 .

中国专利 :CN119300410B ,2025-10-17

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