HEMT器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202211327142.X

申请日：

2022-10-25

公开(公告)号：

CN115663019A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

房育涛王倩叶念慈张洁

申请人：

申请人地址：

410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804

代理人：

齐记

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20221025
2023-01-31	公开	公开

共 50 条

[1]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN101604704A ,2009-12-16

[2]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN101320751A ,2008-12-10

[3]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN103441144B ,2013-12-11

[4]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN101320750A ,2008-12-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

房育涛 ;

刘庭 ;

付汝起 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115498020B ,2025-08-08

[6]

HEMT器件及其制备方法 [P].

杨玉美 .

中国专利 :CN118448453A ,2024-08-06

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

房育涛 ;

刘庭 ;

付汝起 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115498020A ,2022-12-20

[8]

一种沟槽型HEMT器件及其制造方法 [P].

梁嘉进 ;

张海生 ;

单建安 .

中国专利 :CN120358771A ,2025-07-22

[9]

一种HEMT器件及其制备方法 [P].

陈泓 ;

刘成 ;

叶念慈 ;

陈奋 ;

廖楚剑 ;

付杰 ;

刘昊 ;

刘勇 .

中国专利 :CN117525122A ,2024-02-06

[10]

具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09

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