一种沟槽型HEMT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510561036.5

申请日：

2025-04-30

公开(公告)号：

CN120358771A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

梁嘉进张海生单建安

申请人：

安建科技有限公司

申请人地址：

中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/17 H10D64/27

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司 44218

代理人：

袁燕清

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):H10D 30/47登记生效日:20251124变更事项:申请人变更前权利人:安建科技有限公司变更后权利人:安建科技（深圳）有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国香港变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室变更后权利人:518000 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N23区海天路15-3号卓越宝中时代广场二期C栋2507
2025-07-22	公开	公开
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250430

共 50 条

[1]

一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

魏宇君 ;

惠安特 ;

索淑怡 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

周弘 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789466A ,2025-04-08

[2]

一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

魏宇君 ;

惠安特 ;

索淑怡 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

周弘 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789466B ,2025-12-12

[3]

HEMT器件及其制造方法 [P].

房育涛 ;

王倩 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115663019A ,2023-01-31

[4]

沟槽栅型HEMT器件及其制造方法 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114864688A ,2022-08-05

[5]

一种p型帽层场板高电子迁移率晶体管及制备方法 [P].

李妍仪 ;

刘志宏 ;

林珍华 ;

何佳琦 ;

毛佩玉 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119029026A ,2024-11-26

[6]

一种GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

尹成功 ;

张彦昌 ;

沈杨 ;

焦立刚 ;

邱明龙 .

中国专利 :CN121152250A ,2025-12-16

[7]

一种氮化物半导体功率器件的芯片制造方法 [P].

苗操 .

中国专利 :CN115346872A ,2022-11-15

[8]

一种p-GaN增强型鳍式HEMT器件及其制备方法 [P].

任开琳 ;

杨翰林 ;

殷录桥 ;

张建华 .

中国专利 :CN117855258A ,2024-04-09

[9]

一种氮化物晶体管增强型器件的结构及其制作方法 [P].

苗操 .

中国专利 :CN114937697A ,2022-08-23

[10]

一种抗辐照HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN206271711U ,2017-06-20

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