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一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411647201.0
申请日：
2024-11-18
公开(公告)号：
CN119789466B
公开(公告)日：
2025-12-12
发明(设计)人：
刘志宏 魏宇君 惠安特 索淑怡 冯欣 杜航海 周弘 邢伟川 张进成 郝跃
申请人：
西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学
申请人地址：
510555 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/10 H10D84/40 H10D8/60
代理机构：
北京谦学知识产权代理事务所(普通合伙) 50265
代理人：
王顺丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241118
2025-04-08 公开 公开
2025-12-12 授权 授权
共 50 条
[1]
一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789466A ,2025-04-08
[2]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462B ,2025-10-10
[3]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462A ,2025-04-08
[4]
一种GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
尹成功 ;
张彦昌 ;
沈杨 ;
焦立刚 ;
邱明龙 .
中国专利 :CN121152250A ,2025-12-16
[5]
一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
宓珉瀚 ;
马晓华 ;
杜翔 ;
王鹏飞 ;
周雨威 ;
安思瑞 ;
龚灿 ;
张濛 ;
朱青 ;
郝跃 .
中国专利 :CN115050831A ,2022-09-13
[6]
一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
宓珉瀚 ;
马晓华 ;
杜翔 ;
王鹏飞 ;
周雨威 ;
安思瑞 ;
龚灿 ;
张濛 ;
朱青 ;
郝跃 .
中国专利 :CN115050831B ,2024-12-17
[7]
GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王文博 ;
程永健 ;
李家辉 ;
邹鹏辉 ;
李哲 .
中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14
[8]
一种具有非极性沟道的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
何佳琦 ;
赵雪利 ;
许淑宁 ;
危虎 ;
邢伟川 ;
游淑珍 ;
杨伟涛 ;
周瑾 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN115020490A ,2022-09-06
[9]
一种沟槽型HEMT器件及其制造方法 [P]. 
梁嘉进 ;
张海生 ;
单建安 .
中国专利 :CN120358771A ,2025-07-22
[10]
GaN基HEMT器件及其制作方法 [P]. 
谭庶欣 .
中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02
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