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一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411615644.1
申请日：
2024-11-13
公开(公告)号：
CN119789462B
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
刘志宏 魏宇君 惠安特 索淑怡 冯欣 杜航海 周弘 邢伟川 张进成 郝跃
申请人：
西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学
申请人地址：
510555 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D62/10 H10D30/01
代理机构：
广东广盛知识产权代理事务所(普通合伙) 441214
代理人：
卓邦荣
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241113
2025-10-10 授权 授权
2025-04-08 公开 公开
共 50 条
[1]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462A ,2025-04-08
[2]
一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789466A ,2025-04-08
[3]
一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789466B ,2025-12-12
[4]
一种高线性度GaN基射频器件及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
樊涤非 ;
汪青 ;
何佳琦 ;
王沛然 ;
邓宸凯 ;
陶赓名 .
中国专利 :CN118352389A ,2024-07-16
[5]
GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王文博 ;
程永健 ;
李家辉 ;
邹鹏辉 ;
李哲 .
中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14
[6]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649404A ,2022-06-21
[7]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
黄定龙 ;
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN216902955U ,2022-07-05
[8]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649404B ,2025-09-09
[9]
一种GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
尹成功 ;
张彦昌 ;
沈杨 ;
焦立刚 ;
邱明龙 .
中国专利 :CN121152250A ,2025-12-16
[10]
一种高阻值GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
郭嘉杰 ;
吴帆 ;
王慧勇 ;
张南 ;
刘自然 ;
孔倩茵 .
中国专利 :CN114023646B ,2022-02-08
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