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一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件

被引：0
申请号：
CN202220245970.8
申请日：
2022-01-28
公开(公告)号：
CN216902955U
公开(公告)日：
2022-07-05
发明(设计)人：
黄定龙 程知群 乐超
申请人：
申请人地址：
311400 浙江省杭州市富阳区银湖街道银湖花苑3号楼6楼-10室
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
代理机构：
浙江永鼎律师事务所 33233
代理人：
陆永强
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-05 授权 授权
共 50 条
[1]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649404A ,2022-06-21
[2]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649404B ,2025-09-09
[3]
一种改善大信号跨导的高线性度GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
黄定龙 ;
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN217114398U ,2022-08-02
[4]
一种改善大信号跨导的高线性度GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649403A ,2022-06-21
[5]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462B ,2025-10-10
[6]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462A ,2025-04-08
[7]
一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路 [P]. 
黄定龙 ;
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN216981869U ,2022-07-15
[8]
一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114650020B ,2025-11-14
[9]
一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114650020A ,2022-06-21
[10]
一种高线性度GaN基射频器件及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
樊涤非 ;
汪青 ;
何佳琦 ;
王沛然 ;
邓宸凯 ;
陶赓名 .
中国专利 :CN118352389A ,2024-07-16
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