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一种改善大信号跨导的高线性度GaN HEMT射频功率器件

被引：0
申请号：
CN202210105445.0
申请日：
2022-01-28
公开(公告)号：
CN114649403A
公开(公告)日：
2022-06-21
发明(设计)人：
程知群 乐超
申请人：
申请人地址：
311400 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心6号9层937室
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L29778
代理机构：
浙江永鼎律师事务所 33233
代理人：
陆永强
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220128
2022-06-21 公开 公开
共 50 条
[1]
一种改善大信号跨导的高线性度GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
黄定龙 ;
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN217114398U ,2022-08-02
[2]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649404A ,2022-06-21
[3]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
黄定龙 ;
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN216902955U ,2022-07-05
[4]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649404B ,2025-09-09
[5]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462B ,2025-10-10
[6]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462A ,2025-04-08
[7]
一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789466A ,2025-04-08
[8]
一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789466B ,2025-12-12
[9]
一种纵向GaN HEMT功率器件 [P]. 
李泽宏 ;
叶钰麒 ;
赵一尚 ;
任敏 .
中国专利 :CN115332335A ,2022-11-11
[10]
一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114650020B ,2025-11-14
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