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一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210105595.1
申请日：
2022-01-28
公开(公告)号：
CN114649404B
公开(公告)日：
2025-09-09
发明(设计)人：
程知群 乐超
申请人：
杭州电子科技大学 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
申请人地址：
310018 浙江省杭州市下沙高教园区
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D64/23 H10D64/27 H10D30/47
代理机构：
浙江永鼎律师事务所 33233
代理人：
陆永强
法律状态：
授权
国省代码：
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-09 授权 授权
2024-04-02 著录事项变更 著录事项变更IPC(主分类):H01L 29/06变更事项:申请人变更前:杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司变更后:杭州电子科技大学变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:311400 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心6号9层937室变更后:310018 浙江省杭州市下沙高教园区变更事项:申请人变更前:杭州电子科技大学变更后:杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国
共 50 条
[1]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649404A ,2022-06-21
[2]
一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
黄定龙 ;
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN216902955U ,2022-07-05
[3]
一种改善大信号跨导的高线性度GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114649403A ,2022-06-21
[4]
一种改善大信号跨导的高线性度GaN HEMT射频功率器件 [P]. 
黄定龙 ;
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN217114398U ,2022-08-02
[5]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462B ,2025-10-10
[6]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462A ,2025-04-08
[7]
一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114650020B ,2025-11-14
[8]
一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路 [P]. 
黄定龙 ;
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN216981869U ,2022-07-15
[9]
一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路 [P]. 
程知群 ;
乐超 .
中国专利 :CN114650020A ,2022-06-21
[10]
一种高线性度GaN基射频器件及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
樊涤非 ;
汪青 ;
何佳琦 ;
王沛然 ;
邓宸凯 ;
陶赓名 .
中国专利 :CN118352389A ,2024-07-16
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