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一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210827102.5
申请日：
2022-07-14
公开(公告)号：
CN115050831B
公开(公告)日：
2024-12-17
发明(设计)人：
宓珉瀚 马晓华 杜翔 王鹏飞 周雨威 安思瑞 龚灿 张濛 朱青 郝跃
申请人：
西安电子科技大学
申请人地址：
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号：
H01L29/778
IPC分类号：
H01L21/335
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
辛菲
法律状态：
授权
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-17 授权 授权
共 50 条
[1]
一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
宓珉瀚 ;
马晓华 ;
杜翔 ;
王鹏飞 ;
周雨威 ;
安思瑞 ;
龚灿 ;
张濛 ;
朱青 ;
郝跃 .
中国专利 :CN115050831A ,2022-09-13
[2]
一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789466A ,2025-04-08
[3]
一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789466B ,2025-12-12
[4]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462B ,2025-10-10
[5]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462A ,2025-04-08
[6]
高线性双渐变沟道的GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
张濛 ;
董洁 ;
杨凌 ;
于谦 ;
侯斌 ;
武玫 ;
宓珉瀚 ;
马晓华 .
中国专利 :CN117878151A ,2024-04-12
[7]
一种GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
尹成功 ;
张彦昌 ;
沈杨 ;
焦立刚 ;
邱明龙 .
中国专利 :CN121152250A ,2025-12-16
[8]
一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
张晓宇 ;
岳丹诚 ;
李星齐 .
中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07
[9]
一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
张晓宇 ;
岳丹诚 ;
李星齐 .
中国专利 :CN119403171B ,2025-07-22
[10]
一种高频高线性GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
马晓华 ;
王鹏飞 ;
宓珉瀚 ;
陈治宏 ;
安思瑞 ;
周雨威 ;
龚灿 ;
杜翔 ;
梁宁 ;
窦娟 .
中国专利 :CN115347044A ,2022-11-15
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