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一种高频高线性GaN HEMT器件及制备方法

被引：0
申请号：
CN202210895598.X
申请日：
2022-07-26
公开(公告)号：
CN115347044A
公开(公告)日：
2022-11-15
发明(设计)人：
马晓华 王鹏飞 宓珉瀚 陈治宏 安思瑞 周雨威 龚灿 杜翔 梁宁 窦娟
申请人：
申请人地址：
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L2940 H01L29423 H01L21335
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
勾慧敏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-15 公开 公开
2022-12-02 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220726
共 50 条
[1]
GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
李亦衡 ;
朱廷刚 ;
武乐可 ;
王强 ;
黄克强 ;
秦佳明 ;
魏鸿源 ;
夏远洋 .
中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05
[2]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462B ,2025-10-10
[3]
一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
张晓宇 ;
岳丹诚 ;
李星齐 .
中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07
[4]
一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
魏宇君 ;
惠安特 ;
索淑怡 ;
冯欣 ;
杜航海 ;
周弘 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789462A ,2025-04-08
[5]
一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
张晓宇 ;
岳丹诚 ;
李星齐 .
中国专利 :CN119403171B ,2025-07-22
[6]
一种高散热柔性GaN HEMT器件制备方法及高散热柔性GaN HEMT器件 [P]. 
杨战武 ;
蒋忠伟 ;
刘新科 .
中国专利 :CN118315277B ,2024-10-25
[7]
一种高散热柔性GaN HEMT器件制备方法及高散热柔性GaN HEMT器件 [P]. 
杨战武 ;
蒋忠伟 ;
刘新科 .
中国专利 :CN118315277A ,2024-07-09
[8]
一种GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
廖龙忠 ;
谭永亮 ;
高渊 ;
胡泽先 ;
付兴中 ;
张力江 .
中国专利 :CN113871466A ,2021-12-31
[9]
一种高线性HEMT器件及其制备方法 [P]. 
郑雪峰 ;
唐振凌 ;
马晓华 ;
马佩军 ;
郝跃 .
中国专利 :CN111668303A ,2020-09-15
[10]
一种高耐压的GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王洪 ;
周昀璐 ;
高升 .
中国专利 :CN113725286A ,2021-11-30
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