一种高耐压的GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110825539.0

申请日：

2021-07-21

公开(公告)号：

CN113725286A

公开(公告)日：

2021-11-30

发明(设计)人：

王洪周昀璐高升

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2906 H01L2920 H01L29205 H01L29778 H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;江裕强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	公开	公开
2021-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20210721

共 50 条

[1]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

袁志鹏 ;

肖冬萍 .

中国专利 :CN108110054B ,2018-06-01

[2]

GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件 [P].

默江辉 ;

王川宝 ;

苏延芬 ;

崔雍 ;

宋洁晶 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN108389791B ,2018-08-10

[3]

一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

廖碧艳 ;

李先辉 .

中国专利 :CN111403480A ,2020-07-10

[4]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

陈梅芹 ;

麻胜恒 ;

汪连山 ;

陈福鑫 ;

赵柏聿 .

中国专利 :CN120786925A ,2025-10-14

[5]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

石黎梦 .

中国专利 :CN109742142A ,2019-05-10

[6]

GaN基HEMT器件的制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 ;

伊艾伦 ;

徐文慧 .

中国专利 :CN112530803B ,2021-03-19

[7]

一种高耐压GaN HEMT器件 [P].

邓华鲜 .

中国专利 :CN117423724A ,2024-01-19

[8]

一种高耐压GaN HEMT器件 [P].

邓华鲜 .

中国专利 :CN117423724B ,2024-12-24

[9]

一种GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

尹成功 ;

张彦昌 ;

沈杨 ;

焦立刚 ;

邱明龙 .

中国专利 :CN121152250A ,2025-12-16

[10]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

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