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一种高耐压GaN HEMT器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311636389.4
申请日：
2023-12-01
公开(公告)号：
CN117423724B
公开(公告)日：
2024-12-24
发明(设计)人：
邓华鲜
申请人：
江苏希尔半导体有限公司
乐山希尔电子股份有限公司
乐山嘉洋科技发展有限公司
申请人地址：
226010 江苏省南通市开发区广州路42号530室
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L29/205
H01L29/423
H01L29/778
H01L29/40
代理机构：
成都天嘉知识产权代理有限公司 51211
代理人：
邓小兵
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-24 | 授权 | 授权 |
| 2024-01-19 | 公开 | 公开 |
| 2024-02-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20231201 |