一种GaN基HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310185820.8

申请日：

2013-05-20

公开(公告)号：

CN104167438A

公开(公告)日：

2014-11-26

发明(设计)人：

文正孟迪林书勋郝一龙吴文刚

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区邓庄西新汇园天元广建楼

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-26	公开	公开
2018-04-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20141126
2014-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101592947048 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013101858208 申请日:20130520

共 50 条

[1]

一种GaN基HEMT器件 [P].

陈万军 ;

王方洲 ;

许晓锐 ;

孙瑞泽 ;

信亚杰 ;

夏云 ;

刘超 ;

张波 .

中国专利 :CN111490101B ,2020-08-04

[2]

一种GaN基HEMT器件 [P].

尹以安 ;

曾妮 ;

李锴 .

中国专利 :CN210837767U ,2020-06-23

[3]

一种GaN基HEMT器件 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 .

中国专利 :CN108598149A ,2018-09-28

[4]

GaN基HEMT器件栅极结构 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

康玄武 ;

魏珂 .

中国专利 :CN106549051A ,2017-03-29

[5]

一种GaN基倒装HEMT器件结构 [P].

徐明升 ;

周泉斌 ;

王洪 .

中国专利 :CN204946885U ,2016-01-06

[6]

一种GaN HEMT器件 [P].

张辉 ;

付杰 ;

严丹妮 ;

刘成 ;

叶念慈 .

中国专利 :CN116387312B ,2025-12-05

[7]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222509862U ,2025-02-18

[8]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216311791U ,2022-04-15

[9]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

白俊春 ;

汪福进 ;

程斌 ;

张文君 ;

李海文 ;

平加峰 .

中国专利 :CN220652021U ,2024-03-22

[10]

一种高耐压GaN HEMT器件 [P].

邓华鲜 .

中国专利 :CN117423724A ,2024-01-19

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