一种氮化物晶体管增强型器件的结构及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210539032.3

申请日：

2022-05-18

公开(公告)号：

CN114937697A

公开(公告)日：

2022-08-23

发明(设计)人：

苗操

申请人：

申请人地址：

211899 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2663室

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2915 H01L21335

代理机构：

石家庄隆康知识产权代理事务所(普通合伙) 13140

代理人：

李建楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	公开	公开
2022-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220518

共 50 条

[1]

一种增强型氮化物半导体晶体管结构 [P].

苗操 ;

刘兆平 .

中国专利 :CN119277804A ,2025-01-07

[2]

基于氮化物的晶体管的覆盖层和/或钝化层、晶体管结构及制作方法 [P].

A·W·萨克斯勒 ;

S·谢泼德 ;

R·P·史密斯 .

中国专利 :CN101107713A ,2008-01-16

[3]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158948A ,2016-11-23

[4]

一种增强型氮化物半导体晶体管外延结构 [P].

苗操 ;

刘兆平 .

中国专利 :CN119384025A ,2025-01-28

[5]

一种氮化镓增强型垂直型晶体管组件及其制作方法 [P].

张羽 ;

邹新波 ;

杨杨 .

中国专利 :CN110379846A ,2019-10-25

[6]

增强型氮化镓晶体管的制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230619A ,2017-10-03

[7]

基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管 [P].

周大雨 ;

隋金洋 ;

孙纳纳 ;

习娟 .

中国专利 :CN113745332A ,2021-12-03

[8]

增强型晶体管及其制作方法 [P].

付凯 ;

何涛 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN107591444B ,2018-01-16

[9]

一种氮化物高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

孙志鹏 ;

郝跃 ;

张进成 ;

杨雪妍 ;

姚佳佳 ;

吴冠霖 ;

李祖懋 .

中国专利 :CN113314590A ,2021-08-27

[10]

III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

孙钱 ;

钟耀宗 ;

陈昕 ;

高宏伟 ;

苏帅 ;

周宇 ;

詹晓宁 ;

刘建勋 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115692491B ,2025-08-15

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