增强型晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610532567.2

申请日：

2016-07-08

公开(公告)号：

CN107591444B

公开(公告)日：

2018-01-16

发明(设计)人：

付凯何涛张宝顺

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304

代理人：

孙伟峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-16	公开	公开
2018-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20160708
2020-12-22	授权	授权

共 50 条

[1]

增强型复合栅晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

王海永 ;

杨翠 ;

高北鸾 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111863951A ,2020-10-30

[2]

一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

陆小力 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115483292A ,2022-12-16

[3]

一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法 [P].

马晓华 ;

何云龙 ;

陆小力 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115483292B ,2025-10-24

[4]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[5]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

[6]

一种增强型垂直晶体管及其制作方法 [P].

洪亦芳 .

中国专利 :CN119789475A ,2025-04-08

[7]

一种增强型AlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

彭铭曾 ;

郑英奎 ;

魏珂 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102789982A ,2012-11-21

[8]

晶体管及其制作方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN104617047A ,2015-05-13

[9]

基于阵列条的增强型开关晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

裴晨 ;

杨翠 ;

杜鸣 ;

马佩军 ;

张鹏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113903802A ,2022-01-07

[10]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

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