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一种增强型垂直晶体管及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411837032.7
申请日
:
2024-12-13
公开(公告)号
:
CN119789475A
公开(公告)日
:
2025-04-08
发明(设计)人
:
洪亦芳
申请人
:
江苏芯长征微电子集团股份有限公司
芯长征微电子制造(山东)有限公司
申请人地址
:
210000 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室(江宁开发区)
IPC主分类号
:
H10D30/62
IPC分类号
:
H10D30/01
H10D64/27
代理机构
:
无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228
代理人
:
过顾佳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
山东省 威海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-25
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/62申请日:20241213
2025-04-08
公开
公开
共 50 条
[1]
一种垂直型异质晶体管及其制作方法
[P].
洪亦芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏芯长征微电子集团股份有限公司
江苏芯长征微电子集团股份有限公司
洪亦芳
.
中国专利
:CN119789470A
,2025-04-08
[2]
增强型晶体管及其制作方法
[P].
付凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
付凯
;
何涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
何涛
;
张宝顺
论文数:
0
引用数:
0
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0
张宝顺
.
中国专利
:CN107591444B
,2018-01-16
[3]
增强型复合栅晶体管及其制作方法
[P].
毛维
论文数:
0
引用数:
0
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0
毛维
;
王海永
论文数:
0
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0
王海永
;
杨翠
论文数:
0
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0
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杨翠
;
高北鸾
论文数:
0
引用数:
0
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0
高北鸾
;
郝跃
论文数:
0
引用数:
0
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0
郝跃
.
中国专利
:CN111863951A
,2020-10-30
[4]
一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
裴轶
论文数:
0
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0
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0
裴轶
.
中国专利
:CN105655395B
,2016-06-08
[5]
晶体管及其制作方法
[P].
吴志浩
论文数:
0
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0
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0
机构:
华灿光电(浙江)有限公司
华灿光电(浙江)有限公司
吴志浩
.
中国专利
:CN117373920A
,2024-01-09
[6]
晶体管及其制作方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵猛
.
中国专利
:CN102479709A
,2012-05-30
[7]
晶体管及其制作方法
[P].
三重野文健
论文数:
0
引用数:
0
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0
三重野文健
.
中国专利
:CN102569394B
,2012-07-11
[8]
晶体管及其制作方法
[P].
三重野文健
论文数:
0
引用数:
0
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0
三重野文健
.
中国专利
:CN102543744B
,2012-07-04
[9]
一种氮化镓增强型垂直型晶体管组件及其制作方法
[P].
张羽
论文数:
0
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0
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0
张羽
;
邹新波
论文数:
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邹新波
;
杨杨
论文数:
0
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0
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杨杨
.
中国专利
:CN110379846A
,2019-10-25
[10]
增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
毛维
论文数:
0
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0
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0
毛维
;
高北鸾
论文数:
0
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高北鸾
;
马佩军
论文数:
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马佩军
;
杜鸣
论文数:
0
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0
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杜鸣
;
张春福
论文数:
0
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0
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张春福
;
张金风
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0
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张金风
;
周弘
论文数:
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周弘
;
刘志宏
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刘志宏
;
张进成
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张进成
;
郝跃
论文数:
0
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0
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0
郝跃
.
中国专利
:CN111834455A
,2020-10-27
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