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晶体管及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311155829.4
申请日
:
2023-09-07
公开(公告)号
:
CN117373920A
公开(公告)日
:
2024-01-09
发明(设计)人
:
吴志浩
申请人
:
华灿光电(浙江)有限公司
申请人地址
:
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号
:
H01L21/311
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L21/336
H01L29/78
代理机构
:
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
:
吕耀萍
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
浙江省 金华市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-26
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20230907
2024-01-09
公开
公开
共 50 条
[1]
CMOS晶体管及其制作方法
[P].
肖德元
论文数:
0
引用数:
0
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0
肖德元
;
季明华
论文数:
0
引用数:
0
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0
季明华
.
中国专利
:CN101783323B
,2010-07-21
[2]
晶体管及其制作方法
[P].
王学良
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
王学良
;
刘建华
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘建华
;
郎金荣
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
郎金荣
;
闵亚能
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
闵亚能
.
中国专利
:CN113327845B
,2024-02-13
[3]
晶体管及其制作方法
[P].
王学良
论文数:
0
引用数:
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王学良
;
刘建华
论文数:
0
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刘建华
;
郎金荣
论文数:
0
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郎金荣
;
闵亚能
论文数:
0
引用数:
0
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0
闵亚能
.
中国专利
:CN113327845A
,2021-08-31
[4]
晶体管及其制作方法
[P].
赵猛
论文数:
0
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0
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0
赵猛
.
中国专利
:CN102479709A
,2012-05-30
[5]
晶体管及其制作方法
[P].
张海洋
论文数:
0
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0
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张海洋
;
纪世良
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0
纪世良
.
中国专利
:CN108933082B
,2018-12-04
[6]
晶体管及其制作方法
[P].
三重野文健
论文数:
0
引用数:
0
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0
三重野文健
.
中国专利
:CN102569394B
,2012-07-11
[7]
晶体管及其制作方法
[P].
三重野文健
论文数:
0
引用数:
0
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0
三重野文健
.
中国专利
:CN102543744B
,2012-07-04
[8]
PMOS晶体管及其制作方法
[P].
刘佳磊
论文数:
0
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0
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0
刘佳磊
.
中国专利
:CN104217953B
,2014-12-17
[9]
LDMOS晶体管及其制作方法
[P].
G·马
论文数:
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G·马
;
C·阿伦斯
论文数:
0
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0
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0
C·阿伦斯
.
中国专利
:CN1947262B
,2007-04-11
[10]
CMOS晶体管及其制作方法
[P].
陈亮
论文数:
0
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陈亮
;
杨林宏
论文数:
0
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0
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0
杨林宏
.
中国专利
:CN101930947B
,2010-12-29
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