晶体管及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311155829.4
申请日
2023-09-07
公开(公告)号
CN117373920A
公开(公告)日
2024-01-09
发明(设计)人
吴志浩
申请人
华灿光电(浙江)有限公司
申请人地址
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号
H01L21/311
IPC分类号
H01L21/28 H01L21/336 H01L29/78
代理机构
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
吕耀萍
法律状态
实质审查的生效
国省代码
浙江省 金华市
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共 50 条
[1]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
肖德元 ;
季明华 .
中国专利 :CN101783323B ,2010-07-21
[2]
晶体管及其制作方法 [P]. 
王学良 ;
刘建华 ;
郎金荣 ;
闵亚能 .
中国专利 :CN113327845B ,2024-02-13
[3]
晶体管及其制作方法 [P]. 
王学良 ;
刘建华 ;
郎金荣 ;
闵亚能 .
中国专利 :CN113327845A ,2021-08-31
[4]
晶体管及其制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN102479709A ,2012-05-30
[5]
晶体管及其制作方法 [P]. 
张海洋 ;
纪世良 .
中国专利 :CN108933082B ,2018-12-04
[6]
晶体管及其制作方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN102569394B ,2012-07-11
[7]
晶体管及其制作方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN102543744B ,2012-07-04
[8]
PMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
刘佳磊 .
中国专利 :CN104217953B ,2014-12-17
[9]
LDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
G·马 ;
C·阿伦斯 .
中国专利 :CN1947262B ,2007-04-11
[10]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
陈亮 ;
杨林宏 .
中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29