晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010131310.2

申请日：

2020-02-28

公开(公告)号：

CN113327845A

公开(公告)日：

2021-08-31

发明(设计)人：

王学良刘建华郎金荣闵亚能

申请人：

申请人地址：

200233 上海市徐汇区虹漕路385号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21336 H01L21331 H01L2978 H01L29739

代理机构：

上海弼兴律师事务所 31283

代理人：

薛琦;林嵩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-31	公开	公开
2021-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20200228
2021-11-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/265 登记生效日:20211116 变更事项:申请人变更前权利人:上海先进半导体制造有限公司变更后权利人:上海积塔半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:200233 上海市徐汇区虹漕路385号变更后权利人:201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号

共 50 条

[1]

晶体管及其制作方法 [P].

王学良 ;

刘建华 ;

郎金荣 ;

闵亚能 .

中国专利 :CN113327845B ,2024-02-13

[2]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101930920A ,2010-12-29

[3]

晶体管及其制作方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 .

中国专利 :CN108933082B ,2018-12-04

[4]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

[5]

射频LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

邓小川 ;

刘冬冬 ;

梁坤元 ;

甘志 .

中国专利 :CN105742365A ,2016-07-06

[6]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101740513B ,2010-06-16

[7]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102468167A ,2012-05-23

[8]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103187273A ,2013-07-03

[9]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29

[10]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

张艳红 .

中国专利 :CN101996885A ,2011-03-30

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