射频LDMOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610235235.8

申请日：

2016-04-14

公开(公告)号：

CN105742365A

公开(公告)日：

2016-07-06

发明(设计)人：

邓小川刘冬冬梁坤元甘志

申请人：

申请人地址：

523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部二路17号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2940 H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20160706
2016-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672635724 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016102352358 申请日:20160414
2016-07-06	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管及其制作方法 [P].

王学良 ;

刘建华 ;

郎金荣 ;

闵亚能 .

中国专利 :CN113327845B ,2024-02-13

[2]

晶体管及其制作方法 [P].

王学良 ;

刘建华 ;

郎金荣 ;

闵亚能 .

中国专利 :CN113327845A ,2021-08-31

[3]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103187444B ,2013-07-03

[4]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

唐浩 ;

张可 ;

李业超 .

中国专利 :CN120769530A ,2025-10-10

[5]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

曹国豪 ;

郑大燮 .

中国专利 :CN103050528A ,2013-04-17

[6]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

G·马 ;

C·阿伦斯 .

中国专利 :CN1947262B ,2007-04-11

[7]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29

[8]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101930920A ,2010-12-29

[9]

晶体管及其制作方法 [P].

吴志浩 .

中国专利 :CN117373920A ,2024-01-09

[10]

一种LDMOS晶体管及制作方法 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN105789051A ,2016-07-20

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