一种LDMOS晶体管及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410822823.2

申请日：

2014-12-24

公开(公告)号：

CN105789051A

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

杜蕾

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160720
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674709999 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014108228232 申请日:20141224
2016-07-20	公开	公开

共 50 条

[1]

射频LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

邓小川 ;

刘冬冬 ;

梁坤元 ;

甘志 .

中国专利 :CN105742365A ,2016-07-06

[2]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103187444B ,2013-07-03

[3]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

唐浩 ;

张可 ;

李业超 .

中国专利 :CN120769530A ,2025-10-10

[4]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

曹国豪 ;

郑大燮 .

中国专利 :CN103050528A ,2013-04-17

[5]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

G·马 ;

C·阿伦斯 .

中国专利 :CN1947262B ,2007-04-11

[6]

一种LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

姜钦 ;

于绍欣 .

中国专利 :CN114823345B ,2022-07-29

[7]

VDMOS晶体管兼容LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

桂林春 ;

王乐 ;

赵志勇 ;

何丽丽 .

中国专利 :CN102054774A ,2011-05-11

[8]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

[9]

一种晶体管及其制作方法 [P].

林河北 ;

凌浩 ;

谭丽娟 ;

杜永琴 .

中国专利 :CN109087950A ,2018-12-25

[10]

一种晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109119473B ,2019-01-01

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