LDMOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110315404.6

申请日：

2011-10-17

公开(公告)号：

CN103050528A

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

曹国豪郑大燮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21762 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-17	公开	公开
2017-02-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101746654065 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011103154046 申请公布日:20130417
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457130912 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011103154046 申请日:20111017

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103187444B ,2013-07-03

[2]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

G·马 ;

C·阿伦斯 .

中国专利 :CN1947262B ,2007-04-11

[3]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

唐浩 ;

张可 ;

李业超 .

中国专利 :CN120769530A ,2025-10-10

[4]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09

[5]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN108122780A ,2018-06-05

[6]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906A ,2021-12-24

[7]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14

[8]

射频LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

邓小川 ;

刘冬冬 ;

梁坤元 ;

甘志 .

中国专利 :CN105742365A ,2016-07-06

[9]

LDMOS场效应晶体管及其制作方法 [P].

吴小利 ;

唐树澍 ;

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102709190B ,2012-10-03

[10]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

← 1 2 3 4 5 →