LDMOS晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010583302.1

申请日：

2020-06-23

公开(公告)号：

CN113838906A

公开(公告)日：

2021-12-24

发明(设计)人：

李敏季明华张汝京

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21762 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

贺妮妮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200623
2021-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09

[2]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN108122780A ,2018-06-05

[3]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

吴亚贞 .

中国专利 :CN111785639A ,2020-10-16

[4]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

吴亚贞 .

中国专利 :CN111785639B ,2024-02-02

[5]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

曹国豪 ;

郑大燮 .

中国专利 :CN104701366A ,2015-06-10

[6]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14

[7]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

郑大燮 ;

魏琰 .

中国专利 :CN103594492A ,2014-02-19

[8]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN103077895A ,2013-05-01

[9]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

曹国豪 ;

郑大燮 .

中国专利 :CN103050528A ,2013-04-17

[10]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274859B ,2023-01-20

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