LDMOS晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310655007.2

申请日：

2013-12-05

公开(公告)号：

CN104701366A

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

曹国豪郑大燮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150610
2015-06-10	公开	公开
2015-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616040608 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013106550072 申请日:20131205

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

郑大燮 ;

魏琰 .

中国专利 :CN103594492A ,2014-02-19

[2]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN103077895A ,2013-05-01

[3]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN107564816A ,2018-01-09

[4]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109285780B ,2019-01-29

[5]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

马千成 ;

程勇 ;

冯喆韻 .

中国专利 :CN104701373A ,2015-06-10

[6]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

程勇 ;

蒲贤勇 ;

王海强 .

中国专利 :CN105448990A ,2016-03-30

[7]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09

[8]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906A ,2021-12-24

[9]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

张博 .

中国专利 :CN118039487A ,2024-05-14

[10]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

邱慈云 ;

吕瑞霖 ;

蔡建祥 .

中国专利 :CN104241354B ,2014-12-24

← 1 2 3 4 5 →