LDMOS晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610504769.6

申请日：

2016-06-30

公开(公告)号：

CN107564816A

公开(公告)日：

2018-01-09

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	授权	授权
2018-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160630
2018-01-09	公开	公开

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

程勇 ;

蒲贤勇 ;

王海强 .

中国专利 :CN105448990A ,2016-03-30

[2]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

郑大燮 ;

魏琰 .

中国专利 :CN103594492A ,2014-02-19

[3]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN103077895A ,2013-05-01

[4]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109285780B ,2019-01-29

[5]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

马千成 ;

程勇 ;

冯喆韻 .

中国专利 :CN104701373A ,2015-06-10

[6]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

曹国豪 ;

郑大燮 .

中国专利 :CN104701366A ,2015-06-10

[7]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

张博 .

中国专利 :CN118039487A ,2024-05-14

[8]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

邱慈云 ;

吕瑞霖 ;

蔡建祥 .

中国专利 :CN104241354B ,2014-12-24

[9]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960792A ,2017-07-18

[10]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

曹国豪 ;

蒲贤勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103715133A ,2014-04-09

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