LDMOS晶体管及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010870912.X
申请日
2020-08-26
公开(公告)号
CN111785639A
公开(公告)日
2020-10-16
发明(设计)人
吴亚贞
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978 H01L2940
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
曹廷廷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
吴亚贞 .
中国专利 :CN111785639B ,2024-02-02
[2]
LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
刘宪周 .
中国专利 :CN108122780A ,2018-06-05
[3]
LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
李敏 ;
季明华 ;
张汝京 .
中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09
[4]
LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
李敏 ;
季明华 ;
张汝京 .
中国专利 :CN113838906A ,2021-12-24
[5]
LDMOS晶体管及其制造方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14
[6]
LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
陈俭 .
中国专利 :CN101673763B ,2010-03-17
[7]
LDMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
郑大燮 ;
魏琰 .
中国专利 :CN103594492A ,2014-02-19
[8]
LDMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN107564816A ,2018-01-09
[9]
LDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
刘金华 .
中国专利 :CN103187444B ,2013-07-03
[10]
LDMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
刘正超 .
中国专利 :CN103077895A ,2013-05-01