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LDMOS晶体管及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010870912.X
申请日
:
2020-08-26
公开(公告)号
:
CN111785639A
公开(公告)日
:
2020-10-16
发明(设计)人
:
吴亚贞
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2978
H01L2940
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
曹廷廷
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200826
2020-10-16
公开
公开
共 50 条
[1]
LDMOS晶体管及其制备方法
[P].
吴亚贞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
吴亚贞
.
中国专利
:CN111785639B
,2024-02-02
[2]
LDMOS晶体管及其制备方法
[P].
刘宪周
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘宪周
.
中国专利
:CN108122780A
,2018-06-05
[3]
LDMOS晶体管及其制备方法
[P].
李敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
李敏
;
季明华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
季明华
;
张汝京
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
张汝京
.
中国专利
:CN113838906B
,2024-01-09
[4]
LDMOS晶体管及其制备方法
[P].
李敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李敏
;
季明华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
季明华
;
张汝京
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张汝京
.
中国专利
:CN113838906A
,2021-12-24
[5]
LDMOS晶体管及其制造方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵猛
.
中国专利
:CN109755133A
,2019-05-14
[6]
LDMOS晶体管及其制备方法
[P].
陈俭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈俭
.
中国专利
:CN101673763B
,2010-03-17
[7]
LDMOS晶体管及其形成方法
[P].
郑大燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑大燮
;
魏琰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
魏琰
.
中国专利
:CN103594492A
,2014-02-19
[8]
LDMOS晶体管及其形成方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵猛
.
中国专利
:CN107564816A
,2018-01-09
[9]
LDMOS晶体管及其制作方法
[P].
刘金华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘金华
.
中国专利
:CN103187444B
,2013-07-03
[10]
LDMOS晶体管及其形成方法
[P].
刘正超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘正超
.
中国专利
:CN103077895A
,2013-05-01
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