LDMOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110456264.4

申请日：

2011-12-30

公开(公告)号：

CN103187444B

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

刘金华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-03	公开	公开
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101498922470 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011104562644 申请日:20111230
2015-10-14	授权	授权

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

曹国豪 ;

郑大燮 .

中国专利 :CN103050528A ,2013-04-17

[2]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

G·马 ;

C·阿伦斯 .

中国专利 :CN1947262B ,2007-04-11

[3]

LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

唐浩 ;

张可 ;

李业超 .

中国专利 :CN120769530A ,2025-10-10

[4]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14

[5]

射频LDMOS晶体管及其制作方法 [P].

邓小川 ;

刘冬冬 ;

梁坤元 ;

甘志 .

中国专利 :CN105742365A ,2016-07-06

[6]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

[7]

CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24

[8]

EDMOS晶体管及其制作方法 [P].

吴小利 .

中国专利 :CN102097485A ,2011-06-15

[9]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

于伟泽 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102544095B ,2012-07-04

[10]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09

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