CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110318999.0

申请日：

2011-10-19

公开(公告)号：

CN103066019A

公开(公告)日：

2013-04-24

发明(设计)人：

平延磊鲍宇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-24	公开	公开
2013-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101461523024 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011103189990 申请日:20111019
2015-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24

[2]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29

[3]

NMOS晶体管及其制作方法、CMOS晶体管 [P].

李安石 ;

张从领 .

中国专利 :CN106252234A ,2016-12-21

[4]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102130058A ,2011-07-20

[5]

NMOS晶体管、PMOS晶体管、CMOS晶体管及其制作方法 [P].

郑俊丰 .

中国专利 :CN106206740B ,2016-12-07

[6]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101783323B ,2010-07-21

[7]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101783324B ,2010-07-21

[8]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101783322B ,2010-07-21

[9]

NMOS晶体管及其制作方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106206721B ,2016-12-07

[10]

NMOS晶体管及其制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103855025A ,2014-06-11

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