NMOS晶体管、PMOS晶体管、CMOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610781303.0

申请日：

2016-08-30

公开(公告)号：

CN106206740B

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

郑俊丰

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21336 H01L2128

代理机构：

深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304

代理人：

孙伟峰;武岑飞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-03	授权	授权
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695178440 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016107813030 申请日:20160830
2016-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

NMOS晶体管及其制作方法、CMOS晶体管 [P].

李安石 ;

张从领 .

中国专利 :CN106252234A ,2016-12-21

[2]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

[3]

PMOS晶体管、NMOS晶体管及其各自的制作方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103871887A ,2014-06-18

[4]

CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24

[5]

NMOS晶体管及其形成方法、包括该NMOS晶体管的CMOS晶体管 [P].

何永根 .

中国专利 :CN103474351B ,2013-12-25

[6]

PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN104103515A ,2014-10-15

[7]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29

[8]

NMOS晶体管、CMOS晶体管及两者的制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103855024A ,2014-06-11

[9]

CMOS晶体管的制作方法 [P].

沈满华 ;

孟晓莹 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102446854B ,2012-05-09

[10]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102130058A ,2011-07-20

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