CMOS晶体管及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910045974.0
申请日
2009-01-19
公开(公告)号
CN101783324B
公开(公告)日
2010-07-21
发明(设计)人
肖德元 季明华
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
H01L2128 H01L27092 H01L2941
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
李丽
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
肖德元 ;
季明华 .
中国专利 :CN101783323B ,2010-07-21
[2]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
肖德元 ;
季明华 .
中国专利 :CN101783322B ,2010-07-21
[3]
CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P]. 
平延磊 ;
鲍宇 .
中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24
[4]
CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P]. 
平延磊 .
中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24
[5]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
陈亮 ;
杨林宏 .
中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29
[6]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN102130058A ,2011-07-20
[7]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
刘乒 ;
马擎天 ;
张海洋 .
中国专利 :CN101459136A ,2009-06-17
[8]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
肖德元 ;
季明华 .
中国专利 :CN101789401A ,2010-07-28
[9]
EDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
吴小利 .
中国专利 :CN102097485A ,2011-06-15
[10]
MOS晶体管及其制作方法 [P]. 
于伟泽 ;
尹海洲 .
中国专利 :CN102544095B ,2012-07-04