NMOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210516329.4

申请日：

2012-12-05

公开(公告)号：

CN103855025A

公开(公告)日：

2014-06-11

发明(设计)人：

韩秋华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2910

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	公开	公开
2014-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583603236 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012105163294 申请日:20121205
2017-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

NMOS晶体管的制作方法 [P].

鲍宇 ;

荆学珍 ;

张彬 .

中国专利 :CN102376579A ,2012-03-14

[2]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

[3]

NMOS晶体管、CMOS晶体管及两者的制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103855024A ,2014-06-11

[4]

NMOS晶体管及其制作方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106206721B ,2016-12-07

[5]

NMOS晶体管及其制作方法、CMOS晶体管 [P].

李安石 ;

张从领 .

中国专利 :CN106252234A ,2016-12-21

[6]

CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24

[7]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960792A ,2017-07-18

[8]

PMOS晶体管及其制作方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN104217953B ,2014-12-17

[9]

Ge基NMOS晶体管及其制作方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN111463133B ,2020-07-28

[10]

CMOS晶体管及其制作方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29

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