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LDMOS晶体管及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510879883.6
申请日：
2025-06-27
公开(公告)号：
CN120769530A
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
唐浩 张可 李业超
申请人：
重庆芯联微电子有限公司
申请人地址：
401331 重庆市沙坪坝区高新区西永街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/65
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
罗泳文
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-10 公开 公开
2025-10-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250627
共 50 条
[1]
LDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
刘金华 .
中国专利 :CN103187444B ,2013-07-03
[2]
LDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
曹国豪 ;
郑大燮 .
中国专利 :CN103050528A ,2013-04-17
[3]
LDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
G·马 ;
C·阿伦斯 .
中国专利 :CN1947262B ,2007-04-11
[4]
一种LDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
姜钦 ;
于绍欣 .
中国专利 :CN114823345B ,2022-07-29
[5]
晶体管及其制作方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN102569394B ,2012-07-11
[6]
晶体管及其制作方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN102543744B ,2012-07-04
[7]
射频LDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
邓小川 ;
刘冬冬 ;
梁坤元 ;
甘志 .
中国专利 :CN105742365A ,2016-07-06
[8]
EDMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
吴小利 .
中国专利 :CN102097485A ,2011-06-15
[9]
LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
李敏 ;
季明华 ;
张汝京 .
中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09
[10]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
陈亮 ;
杨林宏 .
中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29
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