LDMOS晶体管及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202211205804.6

申请日：

2022-09-30

公开(公告)号：

CN115274859B

公开(公告)日：

2023-01-20

发明(设计)人：

余山赵东艳陈燕宁付振刘芳王帅鹏王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文张同

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2940 H01L21336

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

李红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	授权	授权
2022-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220930

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14

[2]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

王猛 ;

喻慧 .

中国专利 :CN108598156A ,2018-09-28

[3]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

陈乐乐 .

中国专利 :CN103367431A ,2013-10-23

[4]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN111933716B ,2020-11-13

[5]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵哲晧 .

中国专利 :CN101740626A ,2010-06-16

[6]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN110120346B ,2019-08-13

[7]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN112103331A ,2020-12-18

[8]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

吴兵 ;

詹前陵 ;

童亮 .

中国专利 :CN108172621A ,2018-06-15

[9]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

喻慧 ;

陈佳俊 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119170642A ,2024-12-20

[10]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09

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