LDMOS晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810531384.8

申请日：

2018-05-29

公开(公告)号：

CN108598156A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

王猛喻慧

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20180529
2018-09-28	公开	公开
2019-07-19	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/423 变更事项:申请人变更前:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更后:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更事项:地址变更前:310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室变更后:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274859B ,2023-01-20

[2]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN110120346B ,2019-08-13

[3]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14

[4]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

陈乐乐 .

中国专利 :CN103367431A ,2013-10-23

[5]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN111933716B ,2020-11-13

[6]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN112103331A ,2020-12-18

[7]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

吴兵 ;

詹前陵 ;

童亮 .

中国专利 :CN108172621A ,2018-06-15

[8]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

喻慧 ;

陈佳俊 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119170642A ,2024-12-20

[9]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09

[10]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵哲晧 .

中国专利 :CN101740626A ,2010-06-16

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