LDMOS晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210092227.4

申请日：

2012-03-31

公开(公告)号：

CN103367431A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

陈乐乐

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-28	授权	授权
2013-10-23	公开	公开
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542131900 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012100922274 申请日:20120331

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14

[2]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274859B ,2023-01-20

[3]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN111933716B ,2020-11-13

[4]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN110120346B ,2019-08-13

[5]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

王猛 ;

喻慧 .

中国专利 :CN108598156A ,2018-09-28

[6]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN112103331A ,2020-12-18

[7]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

吴兵 ;

詹前陵 ;

童亮 .

中国专利 :CN108172621A ,2018-06-15

[8]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

喻慧 ;

陈佳俊 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119170642A ,2024-12-20

[9]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵哲晧 .

中国专利 :CN101740626A ,2010-06-16

[10]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

王加坤 ;

吴兵 .

中国专利 :CN112331558A ,2021-02-05

← 1 2 3 4 5 →