LDMOS晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810055437.3

申请日：

2018-01-19

公开(公告)号：

CN108172621A

公开(公告)日：

2018-06-15

发明(设计)人：

吴兵詹前陵童亮

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;高青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-15	公开	公开
2020-08-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20200807 变更事项:申请人变更前权利人:矽力杰半导体技术(杭州)有限公司变更后权利人:杭州创勤传感技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 变更后权利人:310057 浙江省杭州市南环路3766号203室
2018-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180119
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20180615
2021-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20211209 变更事项:申请人变更前权利人:杭州创勤传感技术有限公司变更后权利人:杭州芯迈半导体技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:310057 浙江省杭州市南环路3766号203室变更后权利人:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201

共 50 条

[1]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

王加坤 ;

吴兵 .

中国专利 :CN112331558A ,2021-02-05

[2]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN112103331A ,2020-12-18

[3]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109755133A ,2019-05-14

[4]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

陈乐乐 .

中国专利 :CN103367431A ,2013-10-23

[5]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274859B ,2023-01-20

[6]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

喻慧 ;

陈佳俊 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119170642A ,2024-12-20

[7]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN111933716B ,2020-11-13

[8]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

赵哲晧 .

中国专利 :CN101740626A ,2010-06-16

[9]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN110120346B ,2019-08-13

[10]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

王猛 ;

喻慧 .

中国专利 :CN108598156A ,2018-09-28

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