LDMOS场效应晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210165384.3

申请日：

2012-05-24

公开(公告)号：

CN102709190B

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

吴小利唐树澍苟鸿雁

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-03	公开	公开
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583993189 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012101653843 申请日:20120524
2017-04-26	授权	授权
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700513263 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012101653843 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408

共 50 条

[1]

场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN111384160A ,2020-07-07

[2]

高电子场效应晶体管及其制作方法 [P].

李佳 ;

魏珂 ;

袁婷婷 ;

张昇 ;

杜泽浩 .

中国专利 :CN112928022A ,2021-06-08

[3]

场效应晶体管及制作方法 [P].

裴晓延 .

中国专利 :CN110875372A ,2020-03-10

[4]

场效应晶体管及其方法 [P].

B·格罗特 ;

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

V·坎姆卡 ;

M·E·吉普森 .

中国专利 :CN109560137A ,2019-04-02

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05

[6]

场效应晶体管及其方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

B·格罗特 .

中国专利 :CN109560139A ,2019-04-02

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李争刚 ;

袁刚 ;

彭楠 ;

杨帅 .

中国专利 :CN111029407A ,2020-04-17

[8]

鳍式场效应晶体管及其制作方法 [P].

张海洋 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN103165459A ,2013-06-19

[9]

鳍式场效应晶体管及其制作方法 [P].

张海洋 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN103165447A ,2013-06-19

[10]

鳍式场效应晶体管及其制作方法 [P].

张同 ;

邓永峰 ;

刘芳 ;

吴波 ;

王异凡 ;

曾明全 .

中国专利 :CN120343950A ,2025-07-18

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