场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911166151.3

申请日：

2019-11-25

公开(公告)号：

CN111029407A

公开(公告)日：

2020-04-17

发明(设计)人：

李争刚袁刚彭楠杨帅

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;张靖琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191125
2020-04-17	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05

[2]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1262017C ,2001-04-04

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李忠湖 ;

尹在万 ;

朴东健 ;

李哲 .

中国专利 :CN100492604C ,2005-08-31

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

赫尔穆特·布雷克 .

中国专利 :CN1672263A ,2005-09-21

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

D·曼杰 ;

T·施洛瑟 .

中国专利 :CN1971946A ,2007-05-30

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

布赖恩·塞奇·莫 ;

迪克·肖 ;

史蒂文·萨普 ;

伊萨克·本库亚 ;

迪安·爱德华·普罗布斯特 .

中国专利 :CN1227418A ,1999-09-01

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

铃木龙太 .

日本专利 :CN120302682A ,2025-07-11

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

布赖恩·塞奇·莫 ;

迪克·肖 ;

史蒂文·萨普 ;

伊萨克·本库亚 ;

迪安·爱德华·普罗布斯特 .

中国专利 :CN1983597A ,2007-06-20

[9]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111048418A ,2020-04-21

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

斋藤顺 ;

辻村理俊 .

中国专利 :CN115706166A ,2023-02-17

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