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场效应晶体管及其制造方法

被引：0
申请号：
CN202210925476.0
申请日：
2022-08-03
公开(公告)号：
CN115706166A
公开(公告)日：
2023-02-17
发明(设计)人：
斋藤顺 辻村理俊
申请人：
申请人地址：
日本爱知县
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423 H01L21336
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
林金朝
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2023-02-17 公开 公开
共 50 条
[1]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
小野瑞城 .
中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05
[2]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
李忠湖 ;
尹在万 ;
朴东健 ;
李哲 .
中国专利 :CN100492604C ,2005-08-31
[3]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
赫尔穆特·布雷克 .
中国专利 :CN1672263A ,2005-09-21
[4]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
D·曼杰 ;
T·施洛瑟 .
中国专利 :CN1971946A ,2007-05-30
[5]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
布赖恩·塞奇·莫 ;
迪克·肖 ;
史蒂文·萨普 ;
伊萨克·本库亚 ;
迪安·爱德华·普罗布斯特 .
中国专利 :CN1227418A ,1999-09-01
[6]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
李争刚 ;
袁刚 ;
彭楠 ;
杨帅 .
中国专利 :CN111029407A ,2020-04-17
[7]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
铃木龙太 .
日本专利 :CN120302682A ,2025-07-11
[8]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
布赖恩·塞奇·莫 ;
迪克·肖 ;
史蒂文·萨普 ;
伊萨克·本库亚 ;
迪安·爱德华·普罗布斯特 .
中国专利 :CN1983597A ,2007-06-20
[9]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111048418A ,2020-04-21
[10]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
小野瑞城 .
中国专利 :CN1262017C ,2001-04-04
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